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Infineon Technologies BSC320N20NS3 G
| Artikelnummer: | BSC320N20NS3 G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | BSC320N20NS3 G Infineon Technologies |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
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Infineon Technologies BSC320N20NS3 G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSC320N20NS3 G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 36A, 10V Verlustleistung (max) 125W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc) BSC320N20NS3 G Einzelheiten PDF [English] BSC320N20NS3 G PDF - EN.pdf -
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